钾离子对压敏陶瓷性能的影响

摘要：

　　本文研究了钾离子掺杂对ZnO压敏陶瓷电性能的影响规律。实验发现：当K+含量小于40ppm时，对ZnO压敏陶瓷的电性能几乎没有影响，但K+含量超过60ppm后，压敏陶瓷的能量耐受能力迅速劣化。初步分析表明：钾离子偏析于晶界和三角区，破坏了晶界层的稳定，导致压敏陶瓷性能的劣化。

关键词： 压敏陶瓷 氧化锌材料 钾离子掺杂 晶界偏析

作者: 庞驰 曹全喜 章会良

作者单位: 西安电子科技大学技术物理学院,陕西,西安,710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会敏感技术分会第十三届电压敏学术年会

会议地点: 桂林

会议语种:中文

页码: 108-111

在线出版日期: 2006-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）