硅异质结太阳电池界面处理关键工艺的研究
薄膜硅/晶体硅异质结(HIT)太阳电池是界面器件,其界面性质直接决定器件的性能.本文采用简化的RCA 清洗并结合氧化膜保护工艺对硅片进行前期处理；采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)制备薄膜硅/晶体硅异质结；通过光发射谱(OES)研究了PECVD 在不同的匹配速度下起辉基元浓度随时间的变化,证实了基元浓度的不稳定对电池界面性质有一定的影响；分析了退火工艺对异质结的界面特性的影响,得到了以下结果：在空气中130℃下退火,串联电阻由143 欧姆降到7.4 欧姆,品质因子n2(与界面复合有关)从2.63 降低到2.24,电池开压增加了6％.本文结果表明：硅片前期处理的氧化膜保护工艺及后退火处理,皆可明显地改善HIT电池的界面性质、提高电池的转换效率.
硅异质结太阳电池 钝化处理 等离子体初期不稳性 退火处理 界面特性
王楠 曹勇 周玉琴 刘丰珍
中国科学院研究生院,北京 100049
国内会议
北京
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2012-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）