磷吸杂对冶金多晶硅片的少子寿命的影响
本研究采用液态三氯氧磷源扩散方法对物理冶金法提纯多晶片(6N)进行恒温磷吸杂.研究温度、时间和通磷源量等参数对吸杂效果的影响,摸索可用于生产最有效的工艺条件.用少子寿命测试仪和四探针测试仪测试硅裸片的少子寿命和电阻率. 实验给出:通源量较低时,950℃吸杂30min 的效果相对好；其他工艺参数不变时随通源量增大,硅片表面有效吸杂点增加,吸杂效果逐渐明显,少子寿命可提高近4 倍；当通源量增到一定时,吸杂效果开始下降.
冶金法提纯 多晶硅片 磷吸杂 少子寿命 电阻率
徐志虎 谢俊叶 马承宏 李健
内蒙古大学物理科学与技术学院 内蒙古自治区半导体光伏技术重点实验室 呼和浩特 010021 内蒙古日月太阳能科技责任有限公司
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2012-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）