铸造准单晶硅中的位错及其对硅太阳电池的影响
铸造准单晶硅中的位错,在晶体生长过程中是不可避免的.研究发现,铸造准单晶硅中的位错存在分散式的位错和位错聚集体两种形态.其中,少量分散式的位错对准单晶硅的少子寿命以及电池性能的不利影响较小.但这种不利影响会随着位错密度的增大而增大.位错聚集体是一种极其有害的缺陷,它会大幅降低材料的电学性能,并严重降低电池效率.因此,铸造准单晶硅中的位错缺陷应该得到有效控制,从而减小其对太阳电池性能的影响.
铸造准单晶硅 位错 少子寿命 太阳电池
顾鑫 余学功 郭宽新 原帅 杨德仁
浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江省杭州市浙大路38 号 ,310027
国内会议
北京
中文
1-4
2012-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）