铝诱导晶化法制备多晶硅薄膜

摘要：

本文采用铝诱导晶化的方法,在普通浮法玻璃上制备得到了(111)择优取向的多晶硅薄膜.文章中提出了光学照片与拉曼扫描结合的多晶硅薄膜晶化率计算方法.解决了由于铝诱导晶化硅薄膜过程中不同区域晶化率差异,导致总晶化率统计上困难的问题.针对我们的研究结果,进一步探讨了非晶硅晶化中出现的形核与生长机理和模型.我们认为,Si 的形核发生在Al/Si 界面并在周围形成Si 耗尽区,由此也阻止了新形核的出现.

关键词： 多晶硅薄膜 铝诱导晶化 晶化率 生长模型

作者: 王涛 宋鑫 潘清涛 胡增鑫 贺天太 贾海军 麦耀华 张铭 严辉

作者单位: 保定天威薄膜光伏有限公司 071051 北京工业大学 100124 保定天威薄膜光伏有限公司 071051 北京工业大学 100124

会议类型: 国内会议

会议名称: 第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 1-7

在线出版日期: 2012-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）