薄膜硅/晶体硅径向异质结的研究

摘要：

本文用自组装微球做膜板,通过反应离子刻蚀(RIE)技术,在晶硅衬底上制备了大小均一、排布高度有序的纳米棒阵列,获得了反射率较低的表面.采用热丝化学气相沉积(HWCVD)工艺,在纳米棒阵列上制备了径向结构的pn 结.扫描电镜图像显示,非晶薄膜硅和透明导电膜层都实现了良好的保角覆盖.通过拟合暗I-V 曲线,分析了原子H 预处理对不同结构衬底钝化的影响.

关键词： 径向结构 异质结 纳米棒

作者: 董刚强 刘丰珍 刘静 朱美芳

作者单位: 中国科学院研究生院,北京 100049 中国科学院高能物理研究所,北京 100049

会议类型: 国内会议

会议名称: 第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 1-5

在线出版日期: 2012-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）