PECVPECVD 法非晶硅薄膜对太阳能级n 型直拉单晶硅片钝化效果的研究
本文旨在优等化离子体化气相学沉积法(PECVD)在太阳能级n 型直拉单晶(Cz)硅衬底上沉积i a-Si:H 薄膜工艺,得到更好的钝化效果.实验研究了气体流量和温度、气压等工艺参数对薄膜沉积和硅片钝化效果的影响.通过优化参数,钝化后在太阳能级n 型Cz 硅片(40*40mm)上用WT-2000PV(微波反射光电导衰减法(WMPCD))测试得到的硅片平均少子寿命值在800us 以上,局部在1500us 以上,得到了钝化后平均表面复合速率S<9.4cm/s 的优良钝化效果;若硅片的体少子寿命为2ms,则S<5.6cm/s.
氢化非晶硅 PECVD 钝化 太阳能级n型硅片
龚洪勇 周浪 黄海宾 向昱任 汪已琳 张东华 高江 崔冶青
南昌大学太阳能光伏学院&材料科学与工程学院,江西 南昌 330031
国内会议
北京
中文
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2012-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）