超薄晶体硅太阳电池关键工艺及产业化研究
随着硅片切割技术的不断发展,越来越薄的晶体硅太阳电池成为降低太阳电池生产成本的重要途径之一.本文主要通过理论及实验方法对超薄晶体硅太阳电池制备的关键技术及产业化进行研究.本实验采用目前主流厚度为190 μm、大小为125×125 mm2的p 型Cz 单晶硅片为衬底,通过20 ％的NaOH 溶液在不同时间下分别减薄,以得到不同厚度(180 μm、155 μm、130 μm、105 μm 和80 μm)的硅片.然后分别采用常规工艺、背面局域接触电池制备工艺制备出不同厚度的电池.通过表征它们的反射率、I-V 等性能,评价各种制备工艺的优劣,并提出产业化思路,为超薄晶体硅太阳电池产业化发展提供方案.
晶体硅太阳电池 超薄电池 背面局域接触 产业化
刘家敬 沈辉
中山大学太阳能系统研究所 顺德中山大学太阳能研究院
国内会议
北京
中文
1-6
2012-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）