类单晶硅锭中的亚晶粒结构分析
本文报告一种生产现场提供的类单晶硅片中的亚晶粒和亚晶界结构的分析研究结果.采用的分析技术包括位错刻蚀与显微观察、X射线双晶衍射和扫描电镜背散射电子分析(EBSD).分析结果显示：亚晶粒尺寸为3～6 mm, 亚晶界对位错刻蚀十分敏感,为密排位错列组成, 亚晶粒内部同时也存在与普通多晶硅锭中平均密度相当的位错；亚晶粒之间相互取向差别<10°,而且基本为以<001>为轴的旋转位向差,故能够保证(001)面特有的金字塔型碱腐蚀制绒效果.
类单晶硅 亚晶粒 位错 EBSD
汪已琳 张东华 张东华 周浪
南昌大学太阳能光伏学院
国内会议
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2012-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）