晶体硅太阳能电池三层减反膜研究
目前,采用PECVD 法沉积的氮化硅薄膜被广泛应用于晶体硅太阳能电池的制造工艺中.由于单层氮化硅膜的减反效果不够理想,本文首先通过软件对三层氮化硅膜进行模拟,选取合适的厚度及折射率配比降低硅片表面反射率.然后采用直接式(direct-plasma)PECVD 设备沉积了三层氮化硅膜进行验证,同时在不同膜层沉积间隙中增加氨气处理,使得氮化硅膜具有更好的钝化效果.通过激光椭偏仪、光谱分析仪、红外傅里叶光谱仪以及电性能测试仪对其电性能进行测试,结果表明,沉积的三层氮化硅膜比单层氮化硅膜具有更好的减反效果和钝化效果,有效的提高了太阳能电池的短波响应,最终提升了电池效率.
crystal silicon solar cell PECVD triple-layer silicon nitride film ratio of silane and ammonia
徐飞 陈德爽 陈肖静 韩培育 鲁科 凡金星
无锡尚德太阳能电力有限公司 214028
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2012-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）