反应离子刻蚀法制绒在单晶硅太阳电池上的应用
反应离子刻蚀(Reactive ion etching,RIE)制备多晶硅太阳电池绒面技术已日趋成熟.但对于单晶,由于高能离子轰击硅片表面形成大的损伤而掩盖了RIE 制绒带来的低反射率优势.本文研究了在预制绒基片上进行RIE 织构化处理,得到的硅片表面具有很好的陷光效果,平均反射率仅为6％左右.通过热氧化法改善表面损伤,发现在温度900℃下,氧化膜厚度为40 nm 时,可得到较高的有效少子寿命,由此制得电池的内量子效率(IQE)、短路电流密度均有提高.
反应离子刻蚀 单晶硅太阳电池 绒面 短路电流密度
严婷婷 凌俊 杨健 陈如龙 张光春
无锡尚德太阳能电力有限公司 ,无锡 214028
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2012-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）