背面氮化硅钝化膜厚度对单晶硅太阳能电池的影响

摘要：

背面局部接触电池可以减少背面复合.本文通过调节背面局部接触电池背场和硅基材之间SIN 钝化层不同的厚度,对电池电性能进行研究.电池IV 参数表明三层氮化硅具有更佳的表面钝化效果,硅太阳电池的转换效率、开路电压Voc 和短路电流密度Jsc 都有所提升.

关键词： 晶体硅太阳能电池 钝化 SINx背场 不同SINx厚度

作者: 孟庆蕾 张光春 施正荣 钱洪强 陆红艳 王振交 吴甲奇 韩培育 姜勇飞 陈如龙 杨健

作者单位: 无锡尚德太阳能电力有限公司 214028

会议类型: 国内会议

会议名称: 第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 1-4

在线出版日期: 2012-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）