非晶硅/晶体硅异质结太阳电池钝化技术的初步研究

摘要：

本文采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备本征非晶硅薄膜.研究了非晶硅/晶体硅异质结(HIT)太阳电池中硅片表面钝化方法,分析了少数载流子寿命随本征层氢稀释率、辉光功率、以及H 等离子体处理时间的变化趋势,并从材料微结构的角度分析了钝化材料如何影响钝化效果.太阳电池中本征非晶硅层应厚度适中,保证电池同时具有高开路电压和填充因子.

关键词： 非晶硅 异质结太阳电池 少子寿命 表面钝化

作者: 王菁 王烁 张晓丹 赵颖

作者单位: 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电信息技术科学教育部重点实验室,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津 300071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 1-4

在线出版日期: 2012-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）