电化学腐蚀多晶硅衬底减反射效果研究

摘要：

电化学硅技术是一种常用的制备各种尺寸硅孔的技术,被广泛用于微纳加工、单晶硅减反射等领域.将多晶硅片置于HF、N,N-二甲基甲酰胺、去离子水的混合溶液中,研究电流密度、腐蚀时间对多晶硅绒面形貌以及表面反射率的影响.实验结果表明,可以在多晶硅上获得平均孔径为5-20μｍ,深为1-3μｍ的腐蚀坑,其加权反射率达到11.3％,较处理之前降低了60％.

关键词： 电化学腐蚀 多晶硅 减反射

作者: 李兆辰 赵雷 刁宏伟 李海玲 周春兰 王文静

作者单位: 中国科学院太阳能热利用及光伏系统重点实验室,中国科学院电工研究所,北京 100190

会议类型: 国内会议

会议名称: 第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 1-5

在线出版日期: 2012-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）