N 型背结前接触太阳能电池Al-p+发射结钝化研究

摘要：

通过在n 型单晶硅衬底上丝网印刷铝,随后高温推进形成Al-p+发射结,形成n+np+结构的N 型背结前接触太阳能电池.采用两种模式对Al-p+发射结进行钝化.(a)等离子体增强化学气相沉积SiNx 钝化.(b) 等离子体增强化学气相沉积SiO2 和SiNx 的叠成钝化；通过对比,可以发现SiO2和SiNx的叠层钝化将电池的开路电压提高了20mV.另外,实验了一种局部Al-p+发射结的电池结构,相比于全Al-p+发射结电池的开路电压提升了8mV.

关键词： SiO2 和SiNx 叠成钝化 Al-p+发射结 局部发射结 n 型硅太阳能电池。

作者: 张巍 陈晨 贾锐 张代生 刑钊 刑钊 刘新宇

作者单位: 中国科学院微电子研究所,北京市朝阳区北土城西路3 号 , 100029

会议类型: 国内会议

会议名称: 第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 1-4

在线出版日期: 2012-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）