原子层沉积三氧化二铝对晶硅电池的表面钝化研究
Al2O3 是一种带有负电荷的钝化材料,近年来随着原子层沉积技术的发展Al2O3 在高效晶硅电池钝化中的作用逐渐显现,成为近年来晶硅电池钝化技术研究的重要方向之一.由于采用原子层技术生长的Al2O3 对于n 型和p 型材料均具有良好的钝化作用,因此开展Al2O3 钝化在晶硅电池制备中的研究是开发高效晶硅电池的重要内容.本文采用原子层沉积(Atomic layer Deposition, ALD)工艺制备的Al2O3 对晶硅电池表面进行全钝化,通过与热氧化钝化后晶硅太阳能电池性能的对比,发现采用Al2O3 钝化后晶硅太阳能电池的性能相较与热氧化钝化晶硅太阳能电池的性能有了良好的改善,证明了Al2O3 对晶硅太阳能电池表面钝化的有效性.在表面未经过制绒处理的情况下,采用Al2O3 钝化后晶硅太阳能电池的开路电压、短路电流以及填充因子相较于采用热氧化钝化的器件均得到了改善.
晶硅电池 Al2O3 表面钝化
孟彦龙 贾锐 孙昀 王仕建
中国科学院微电子研究所,北京市朝阳区北土城西路3 号 , 100029
国内会议
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2012-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）