晶体硅太阳电池中简易硼扩散方法用于形成均匀发射极研究
本文提出了一种利用硼盐酸进行扩散的方法,将旋涂硼盐酸的硅片作为扩散源,在N2 气氛保护下,1020 ℃扩散12 min 所得到的发射极的方块电阻平均值为65 Ω/□,偏差≤4.2 Ω/□,得到的电池的开路电压高于固态硼扩散的开路电压,这种方法与固态硼扩散和液态硼扩散相比还具有扩散温度低、时间短、工艺简单和环境友好等优点,在太阳能电池生产中有巨大的应用潜力.
晶体硅 n 型电池 硼扩散 硼盐酸
张代生 贾锐 陈晨 张巍 孟彦龙
中国科学院微电子研究所,北京市朝阳区北土城西路3 号 , 100029
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2012-09-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)