利用工艺和器件仿真优化发射极提高单晶硅太阳电池转换效率
本文利用半导体工艺及器件仿真工具TCAD 软件的工艺仿真模块模拟了单晶硅电池制造过程中的扩散和热氧化过程,得到了与测试结果相一致的掺杂分布曲线.在工艺仿真基础上,利用TCAD 软件的器件仿真模块计算了电池的转换效率,发现通过降低扩散温度以及在扩散之后加入热氧化工艺可以减小发射极表面附近的掺杂,从而减小发射极复合以及表面复合,而且热氧化还可以减少发射极方阻,如果电池接触电阻增加较小的话,上述工艺可以提高转换效率.
单晶硅电池 发射极 仿真
邢宇鹏 韩培德 范玉杰 王帅 梁鹏 叶舟 李辛毅
中国科学院半导体研究所 ,北京 100083
国内会议
北京
中文
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2012-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）