类单晶硅太阳电池表面的两步法制绒
本文采用两步法对类单晶硅太阳电池的表面进行制绒,利用扫描电子显微镜和分光光度计测试绒面的表面形貌和反射率.测试结果显示：常温下,经两步法腐蚀制绒后的硅片表面形貌是金字塔与凹坑相结合,在波长650nm 处,其表面反射率介于单、多晶硅片的反射率(10％—22％)间,但从电池制作的整体工艺和成本考虑,先酸后碱的制绒方案优于其它方案.
类单晶硅 两步腐蚀制绒 反射率
谢俊叶 马承宏 李云 徐志虎
内蒙古日月太阳能科技有限责任公司 内蒙古大学科学技术学院, 呼和浩特 010021
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2012-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）