N型非晶硅氧薄膜制备及其光电特性研究

摘要：

为获得低折射率和高电导率要求的中间层薄膜,采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术, 在低氢气流量下制备了n 型非晶硅氧薄膜.本文研究了CO2/SiH4气体流量比、硅烷浓度、沉积功率和PH3 掺杂浓度等工艺参数对硅氧薄膜的沉积速率,折射率,电导率,晶化率以及光学带隙的影响,并获得折射率为1.99, 电导率大于10-6S/cm 和带隙大于2.6eV 的非晶硅氧薄膜.

关键词： 中间层 非晶硅氧薄膜 光电特性

作者: 沈华龙 严辉 王辉 潘清涛 宋鑫 耿梅艳 胡增鑫 贾海军 麦耀华 张铭

作者单位: 保定天威薄膜光伏有限公司 071051 北京工业大学 100124 北京工业大学 100124 保定天威薄膜光伏有限公司 071051

会议类型: 国内会议

会议名称: 第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 1-6

在线出版日期: 2012-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）