射频功率对微晶硅薄膜材料相结构的影响*

摘要：

采用RF-PECVD 技术在低温、高沉积压力的条件下制备微晶硅薄膜材料.通过调节氢稀释度、电极间距、沉积压力、衬底温度等参数,优化微晶硅薄膜材料.研究射频功率对微晶硅薄膜材料的相结构的影响.通过X 射线衍射、Raman 光谱、透射光谱等测试与分析,给出了晶化率、光学带隙等随功率的变化,发现射频功率对微晶硅薄膜材料的相结构具有较大影响.

关键词： RF-PECVD microcrystalline silicon RF-power optical band gap crystalline volume fraction

作者: 张林睿 周炳卿 张丽丽 金志欣 李海泉

作者单位: 内蒙古师范大学物理与电子信息学院,功能材料物理与化学自治区重点实验室,呼和浩特010022

会议类型: 国内会议

会议名称: 第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 1-5

在线出版日期: 2012-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）