退火时间对GZO薄膜性能的影响

摘要：

本文以玻璃为沉底材料,采用直流溅射工艺制备ZnO:Ga 薄膜.研究在不同退火时间下,ZnO:Ga 薄膜的结构特性,光学特性以及电学性能的变化情况.通过XRD 和SEM 测试发现随着退火时间的增长,晶粒尺寸逐渐变大,但是成膜质量先变好后变坏,退火时间控制在90 分钟时可以得到最优质量的薄膜.在此过程中,薄膜的透射率也呈现先增加后减小的趋势,退火时间60 分钟后达到最大的透过率.通过检测其电阻率,发现其变化呈现先减小后增加的趋势,在90 分钟退火时可以达到最小的电阻率.综合考虑,可以发现退火时间控制在90 分钟时可以得到最优的薄膜.

关键词： annealing time GZO DC magnetron sputtering

作者: 顾龙 杨恢东 余松

作者单位: 暨南大学电子工程系,中国广州 510632 暨南大学电子工程系,中国广州 510632 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州 310027

会议类型: 国内会议

会议名称: 第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 1-4

在线出版日期: 2012-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）