掺Ti非晶硅薄膜结构与光电特性的研究
本文采用磁控共溅射技术制备a-Si:Ti 薄膜并对其结构和光电特性进行了研究.结果表明,磁控溅射的a-Si:Ti 薄膜为非晶态,在本文实验条件下,掺杂浓度可达到2×1020cm-3.掺钛薄膜能有效提高对低能光子的吸收,但I-V 测试发现吸收的红外光子未能有效转化为可以输运的光生载流子,可能是由于a-Si:Ti 中隙态密度过高造成的.通过变温电导测量,发现掺Ti 样品的激活能显著降低,对其导电机制进行了讨论.
非晶硅 磁控溅射 变温电导
周天微 曹权 左玉华 王启明
中国科学院半导体研究所 ,北京 100083
国内会议
北京
中文
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2012-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）