PIN 型硅基薄膜电池ZnO:A12O3/Ag/NiCr/Al 复合背反射的研究
具有高反射率的背电极对于非晶硅基薄膜太阳电池的高性能和稳定性至关重要.本文提出ZnO:Al2O3(AZO)/Ag/NiCr (AZO)/Al 复合结构做硅基薄膜太阳电池的背电极.Ag 是一种昂贵金属且易氧化或硫化,沉积Ag 层后再沉积Al 作为保护层,其中,NiCr 或AZO 做扩散阻挡层,有效防止Ag 与Al 的相互扩散,既减少Ag 的用量,同时保持银的优异性能,解决了传统AZO/Ag 背电极存在的问题.最终制备背电极为AZO/Ag/NiCr/Al、初始效率为7.91％ (Jsc=18.66mA/cm2,Voc=0.73V,FF=0.58)的单结非晶硅锗电池及9.72％ (Jsc=5.95mA/cm2,Voc=2.30V,FF=0.71)的三结非晶硅/非晶硅锗/非晶硅锗电池.
非晶硅基薄膜太阳电池 复合背反射 NiCr (AZO)扩散阻挡层
王光红 赵雷 闫保军 陈静伟 王革 刁宏伟 王文静
中国科学院太阳能热利用及光伏系统重点实验室,中国科学院电工研究所,北京 100190
国内会议
北京
中文
1-5
2012-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）