基于多孔硅层转移技术的异质结太阳电池

摘要：

本文研究了基于多孔硅层转移技术的a-Si/c-Si 异质结太阳电池.先后利用LPCVD和HWCVD 在已退火的双层多孔硅上生长晶硅薄膜和非晶硅层.采用SEM、Raman、XRD微波光电导衰减测试、I-V 特性测试和量子效率测试仪分别对双层多孔硅、外延硅薄膜及异质结电池进行了分析.结果表明：双层多孔硅经退火后,小孔层发生了闭合,大孔层孔径增大；1100℃、100Pa 下外延生长的硅薄膜的质量最好,且利用该硅薄膜作为吸收层所制备的无任何陷光结构的异质结太阳电池的转换效率为10.1％.

关键词： Heterojunction solar cell Porous silicon layer transfer technology Deposition temperature Deposition pressure Silicon films

作者: 岳之浩 沈鸿烈 张磊 刘斌 高超 吕红杰

作者单位: 南京航空航天大学材料科学与技术学院 南京 210016 南京航空航天大学材料科学与技术学院 南京 210016 南京航空航天大学纳米智能材料器件教育部重点实验室,南京 210016

会议类型: 国内会议

会议名称: 第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 1-8

在线出版日期: 2012-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）