超高浓度钛掺杂硅薄膜的制备及光电特性研究
将磁控溅射和热丝化学气相沉积相结合,制备了超高浓度钛掺杂的氢化非晶硅薄膜.通过光发射谱(OES)分析了热丝加热前后直流溅射辉光特性,结果表明热丝加热与否对直流溅射过程影响不大.俄歇电子能谱显示钛在薄膜中是均匀分布的,改变磁控溅射的功率可以控制薄膜中钛的含量.薄膜在可见和红外光的吸收随钛浓度的增加而显著增强.掺钛非晶硅薄膜仍表现出半导体特性,电阻率随着温度的下降而上升,满足变程跳跃电导输运机制.用激光熔融(PLM)对薄膜进行了退火,薄膜晶化率达50％以上.晶化的掺钛硅薄膜仍然保持较高的可见到红外波段的光吸收.
硅薄膜 超高浓度钛掺杂 热丝化学气相沉积
周玉荣 刘勇 刘丰珍
中国科学院研究生院,北京 100049
国内会议
北京
中文
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2012-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）