高速率单结微晶硅太阳电池中的陷光研究

摘要：

本文采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,研究了衬底表面绒度和电学特性的变化对微晶硅太阳电池性能的影响.通过对溅射ZnO 衬底进行不同腐蚀时间的实验发现：随衬底腐蚀时间的增加,其表面粗糙度逐渐增大,电池短路电流逐渐增加,开压也有所增加,但填充因子逐渐减小.对相同腐蚀时间的衬底,通过改变本征层硅烷浓度,研究其对微晶硅电池光谱响应的影响,实验发现硅烷浓度会对电池的短波响应造成很大的影响.通过对衬底陷光结构和电池工艺的进一步调整,获得了初始效率达到9.87％的单结微晶硅薄膜太阳电池(沉积速率达1.5nm/s).

关键词： 微晶硅薄膜太阳电池 VHF-PECVD 衬底 陷光 高速

作者: 白立沙 陈新亮 王广才 赵颖 张晓丹 刘伯飞 杨素素 杨旭 赵慧旭 黄茜 魏长春 侯国付

作者单位: 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所 南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室 光电信息技术科学教育部重点实验室,天津 300071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 1-6

在线出版日期: 2012-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）