氢等离子体气相反应的模拟和实验研究
甚高频等离子体增强化学气相沉积微晶硅薄膜太阳能电池,已得到广泛应用.因为微晶硅薄膜的沉积是个复杂的放电过程,其生长机理仍是目前研究的热点.在微晶硅薄膜的沉积过程中硅烷的浓度一般小于10％,辉光放电中主要参与反应的仍为氢等离子体,所以主要对氢等离子体的放电过程进行了光发射谱实验监测和计算机模拟.随着功率的增加,电子浓度和等离子体势均单调增大,而电子温度基本不变,仅在等离子体体层与鞘层界面附近区域随功率的增大略有增大.实验和理论模拟的结果是相吻合的.随压强的增加,Hα、Hβ 和H*发射基团的强度均呈现下降的趋势,Hβ/Hα 的比值呈现增加的趋势.随气体流量的增加,Hα、Hβ 和H*发射基团的强度呈现增加的趋势,Hβ/Hα 的比值则呈现出弱的下降,随后基本保持不变.随着沉积时间的增加,这些发射基团首先是快速增加的过程,然后达到稳定状态；而Hβ/Hα 的比值则呈现出弱的下降的过程,然后进入稳定状态.
氢等离子体 光发射谱 生长机理
李新利 陈喜平 周建朋 李艳阳 陈永生 卢景霄 杨仕娥
郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室, 郑州 450052
国内会议
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2012-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）