不同功率下氦稀释对微晶硅锗薄膜特性的影响

摘要：

本文采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,在200oC 的衬底温度下,以SiH4 和GeH4 为反应气体,H2 和He 为稀释气体,制备μc-Si1-xGex:H 薄膜.我们分析了不同功率条件下(60W,100W),不通流量He 的掺入对μc-Si1-xGex:H 薄膜(Ge 含量~40％)特性的不同影响.结果表明,在适当的CHe/H2=He/H2 比例下,薄膜的晶化率和Ge 含量基本不变,光敏性提高,微结构因子减小,Ge 悬挂键减少,致密度提高,材料质量得到了明显的改善.

关键词： 微晶硅锗薄膜 等离子体增强化学气相沉积 He 稀释 功率

作者: 李天微 张建军 曹宇 倪牮 黄振华 马俊 赵颖

作者单位: 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室天津300071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 1-7

在线出版日期: 2012-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）