p-nc-Si:H 材料的研究及其在nip 型a-SiGe:H 电池中的应用

摘要：

p-nc-Si:H 材料因为其量子尺寸效应的存在而具有宽带隙、高透过、高电导的特性.本文研究了温度、氢稀释、功率、压强和掺杂比等参数对薄膜结构特征和光电性能的影响,在高温、高氢稀释、高功率、高压条件下获得了优质p-nc-Si:H 窗口层材料.将pnc-Si:H 用作单节nip 型a-SiGe:H 电池的窗口层,显著提高了电池的短波响应,波长400nm处量子效率响应达到60.7％,最高响应峰值达85.25％,最终提高了a-SiGe:H 电池的短路电流密度和转换效率.

关键词： p-nc-Si:H 高功率 高氢稀释

作者: 刘飞连 侯国付 张延辉 孙建 张晓丹 赵颖

作者单位: 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津 300071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 1-4

在线出版日期: 2012-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）