反应磁控溅射技术生长W掺杂ZnO(WZO)薄膜及其特性研究

摘要：

采用直流脉冲反应磁控溅射方法生长W掺杂ZnO (ZnO:W,即WZO)透明导电氧化物(TCO)薄膜并研究了氧气流量对薄膜微观结构、组分、表面形貌以及光电性能的影响.实验结果表明,WZO 薄膜具有良好的(002)晶面择优取向生长,且适当的氧气流量是制备优质WZO 薄膜的关键因素.WZO 薄膜表面形貌受薄膜结晶质量的影响.当氧气流量为11.5sccm 时,WZO 薄膜在400-1500nm 透过率达到~87.3％,方块电阻~43.89Ω,电阻率~5.12×10-3Ωcm,迁移率为21.3cm2v-1s-1.

关键词： 反应磁控溅射 ZnO薄膜 W掺杂 TCO薄膜 氧气流量

作者: 张翅 陈新亮 王斐 黄茜 赵颖 张晓丹 耿新华

作者单位: 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所 南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室 南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室,天津 300071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 1-6

在线出版日期: 2012-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）