低温制备pin 非晶硅太阳电池p 型纳米硅窗口层

摘要：

采用PECVD 技术,在较低的衬底温度(.60℃)条件下沉积掺硼的氢化纳米硅P 掺杂层.将这种氢化纳米硅p 层应用到玻璃顶衬的TCO/p- Si:H (20nm) /i-a-Si:H (350nm) /n-nc-Si:H(30nm) /Al (200nm)单结非晶硅太阳能电池中,结果发现轻微晶化的氢化纳米硅p 层的太阳能电池性能最好.结合氢等离子界面预处理得到电池光电转换效率9.0％(Voc=0.9V,FF=0.65,J= 15.2mA/cm2).

关键词： pin非晶硅太阳电池 P型纳米硅窗口层 低温沉积

作者: 胡志华 李明 杨培智 邓书康 郝瑞亭 王书荣 姚朝晖 孙启利 晒旭霞

作者单位: 云南师范大学太阳能研究所“可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室” 云南师范大学,中国昆明,650092

会议类型: 国内会议

会议名称: 第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 1-3

在线出版日期: 2012-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）