纳米Si 粒子B/P 掺杂的计算机分子模拟
(0) 使用第一性原理对1.6nm 的Si 粒子在0 K 时B/P 不同掺杂位置和不同掺杂量进行模拟,并对能带、电子状态密度图以及体系能量进行分析.发现B/P 掺杂时掺杂原子都主要集中于粒子表面,不同的掺杂位置会在禁带中引入不同的能级.而且B 掺杂时在电子状态密度图能在禁带中看到一个很明显的峰,随掺杂量体系能量也会增加,体系变得很不稳定,这就解释了为什么B 在高掺杂时需要较高的能量注入.还发现在用B/P 掺杂原子取代表面连接有三个H 原子的Si 时,体系的能量要明显低于其他两种取代情况,这可能是由于该位置本身能量较高,取代后掺杂原子与周围原子发生偶合导致的.
纳米硅 模拟 能量
张念波 王文武 曾广根 李卫 武莉莉 黎兵 张静全 冯良桓
四川大学材料科学与工程学院,610064
国内会议
北京
中文
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2012-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）