聚酰亚胺衬底三结硅基薄膜太阳电池初步探索
对作为a-Si/a-SiGe/a-SiGe 三结叠层太阳电池中的a-SiGe 子电池参数进行了调整,获得了锗烷(GeH4 ) 流量与电池光电特性的关系, 进而在聚酰亚胺柔性衬底上初步制备了a-Si/a-SiGe/a-SiGe 三结叠层太阳电池,电池开路电压Voc=2082 mV,填充因子FF=0.519,由量子效率(QE)积分获得的总短路电流密度Jsc=20.2 mA/cm2 .此电池的短路电流密度和填充因子不够理想,本文对原因进行了分析,并通过对电池进行了光学模拟后,指出合适的ITO 厚度有利于提高电池在短波方向的响应,进而提高电池性能.
薄膜太阳电池 三结叠层电池 柔性衬底
段波涛 徐正军 叶晓军 刘成 杨君坤 周丽华
上海空间电源研究所
国内会议
北京
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2012-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）