PECVD制备微晶硅薄膜生长过程的模拟

摘要：

为了研究沉积功率、压强在甚高频等离子体化学气相沉积沉积(VHE-PECVD)微晶硅(μc-Si:H)薄膜过程中对沉积速率和薄膜性质的影响,采用Chemkin-pro中的AUROR模块,对气相反应和表面生长过程进行了数值模拟.模拟过程涉及42个气相反应和43个表面反应,同时利用光发射谱(OES)对实验过程中等离子辉光进行检测.模拟的SiH3、H的相对含量和比值,以及表面生长速率,晶化率等和实验结果进行了对比,能够较好的吻合.

关键词： 甚高频化学气相沉积 微晶硅 Chemkin-pro AUROR 光发射谱

作者: 陈喜平 陈永生 李新利 郝秀丽 李瑞 卢景霄

作者单位: 郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室,河南 郑州 450052

会议类型: 国内会议

会议名称: 第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 1-5

在线出版日期: 2012-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）