聚酰亚胺衬底非晶硅薄膜太阳电池内联组件
本文主要研究聚酰亚胺(PI)衬底柔性非晶硅(a-Si)薄膜太阳电池内联组件结构设计及内联组件制备的关键技术：深度选择性激光刻蚀.文中所采用的内联结构,首先是卷对卷沉积a-Si 太阳电池的各层材料,随后采用激光刻蚀等工艺实现组件的内联.深度选择性激光刻蚀(P1、P2)分别采用1064nm 和532nm 的调Q 纳秒激光,激光刻蚀槽P1 和P2 分别填充绝缘浆料和导电浆料.目前,采用上述结构及工艺制备的柔性a-Si 薄膜太阳电池六节内联组件效率达4.57％(AM0).
非晶硅 内联组件 激光刻蚀
马宁华 陈亮 叶晓军 陈臻纯 张梦炎 唐道远 蒋帅
上海空间电源研究所 ,上海 ,200245
国内会议
北京
中文
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2012-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）