CdCl2 源退火对Cd1-xZnxTe 薄膜光学性质的影响

摘要：

由于具有禁带宽度连续可调的性质,Cd1-xZnxTe 薄膜有望成为制备叠层太阳电池顶电池的理想材料.CdCl2 源退火处理是CdTe 薄膜太阳电池制备过程中重要的环节,本文采用真空蒸发的方法制备了Cd1-xZnxTe 薄膜,用CdCl2 源进行退火处理,探究CdCl2 源退火对其光学性质的影响.对样品进行了XRD 和紫外-可见光透过谱等测试和分析,发现CdCl2 源退火对Cd1-xZnxTe 薄膜的组份影响较大,且会降低其透过率,改变其光学禁带宽度.

关键词： CdCl2 source Cd1-xZnxTe thin films annealing optical property

作者: 江洪超 金硕 武莉莉 张静全 李卫 黎兵 曾广根 王文武 冯良桓

作者单位: 四川大学 材料科学与工程学院,四川 成都 610064

会议类型: 国内会议

会议名称: 第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 1-4

在线出版日期: 2012-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）