衬底温度对超薄Cu(In, Ga)Se2 材料及电池性能的影响
衬底温度保持恒定,在Se 气氛下按照一定的元素配比顺序蒸发Ga、In、Cu 制备厚度约为0.7 μm 的CuIn0.3Ga0.7Se2(CIGS)薄膜.利用X 射线衍射仪分析衬底温度对薄膜晶体结构及物相组成的影响,扫描电子显微镜表征薄膜形貌及结晶状态的变化,分光光度计与积分球测量衬底温度对薄膜光学性能的影响.研究发现衬底温度为450℃时,薄膜呈现单一的Cu(In0.7Ga0.3)Se2 相.衬底温度低于450℃,CIGS 薄膜存在严重的Ga 的两相分离.薄膜表层的高Ga 含量以小颗粒形式存在,均匀分布于薄膜表面,增加了薄膜表面的粗糙度,提高了超薄CIGS 材料对光的吸收.通过对电池性能的分析发现,低温制备的超薄CIGS 电池,短路电流密度相对较高,CIGS 电池可实现低温、超薄、高效.
Cu(In,Ga)Se2 衬底温度 超薄 太阳电池
韩安军 孙云 李博研 何静靖 李志国 张毅 刘玮
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津 大学),天津 300071
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2012-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）