外掺Na 对低温生长柔性CuIn1-xGaxSe2 薄膜及器件影响
柔性聚酰亚胺CIGS 薄膜电池具有高质功比,适合卷卷沉积规模化生产的优势,但在由于衬底材料限制,只能采用不高于490℃ 的低温三步法进行沉积.而且因为没有高温下玻璃衬底自扩散掺杂的Na 元素,薄膜电学特性变差,最终影响器件特性.制备高效柔性聚酰亚胺衬底CIGS 薄膜,需要外掺Na 源优化低温生长CIGS 薄膜特性.本文研究低温生长CIGS薄膜过程中外掺Na 元素对薄膜结晶、结构、电学特性及元素分布等特性的影响,分析外掺Na 模式对CIGS 薄膜生长机制的影响,确定合适的Na 掺杂方式,最终在衬底温度不高于450℃的情况下,得到效率为10.6％的柔性聚酰亚胺衬底CIGS 薄膜电池.
太阳电池 I-III-VI族化合物薄膜 柔性聚酰亚胺衬底 低温生长 Na掺杂
刘玮 何静婧 李志国 刘一鸣 周志强 何青 孙云
天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,南开大学信息技术科学学院,天津 300071
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2012-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）