电沉积Cu-In-Ga 金属预制层合金化对CIGS 薄膜的影响

摘要：

在Mo/玻璃衬底上顺序电沉积得到Cu-In-Ga 金属预制层进行硒化处理时,发现在硒化前进行无硒热处理,可以明显改善硒化后的薄膜结合力.本文研究了硒化前不同热处理温度对Cu-In-Ga 金属预置层以及硒化后Cu(In1-x,Gax)Se2 薄膜的影响,通过XRD、SEM对薄膜结构与形貌进行表征和分析发现,金属预制层在热退火过程中合金化,使得硒化处理时Cu、In、Ga、Se 的反应路径发生变化,从而增强了薄膜的结合力.对硒化后的CIGS 薄膜进行了电池制备,电池最高效率达到了8.9％.

关键词： Cu(In1-x,Gax)Se2 金属预置层 硒化处理 太阳电池

作者: 张超 敖建平 孙顶 孙国忠 何青 周志强 孙云

作者单位: 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所, 天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室, 光电信息技术科学教育部重点实验室, 天津 300071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 1-6

在线出版日期: 2012-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）