Ga 梯度调控对PI 衬底CIGS 薄膜太阳电池的影响
在聚酰亚胺柔性衬底制备Cu(In,Ga)Se2 薄膜过程中,Ga 梯度调控对电池性能的提升非常重要.本文通过改进低温三步法工艺制备Cu(In,Ga)Se2 薄膜,研究了不同Ga 梯度分布对PI 衬底CIGS 薄膜特性及器件的影响.研究表明,适当降低背面和表面Ga 含量,提高吸收层中的最小带隙,有利于改善Cu(In,Ga)Se2 薄膜两相分离现象,可提高薄膜结晶质量,减少晶界复合及缺陷密度,降低了电子从中性区向空间电荷区的输运势垒,增加电池开路电压和填充因子,进而有效提高Cu(In,Ga)Se2 薄膜太阳电池光电转换效率.
Cu(In,Ga)Se2(CIGS) 聚酰亚胺 Ga梯度 低温沉积
李志国 刘玮 何静婧 韩安军 李祖亮 程龙 孙云
天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,南开大学信息技术科学学院,天津 300071
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2012-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）