石墨背接触CdS/CdTe 薄膜太阳电池的深能级瞬态谱

摘要：

在CdS/CdTe 太阳电池的制备中,易引入并形成各种深能级杂质.本文用深能级瞬态谱技术研究了石墨背接触CdS/CdTe 薄膜太阳电池的杂质分布和部分深能级中心.从IDLTS 得到了一个能级位置为Ec-0.194eV 的深中心,其俘获截面为1.37×10-15cm2,浓度为1.57E16cm-3,并对该深中心的产生进行了探讨,与石墨背接触或硫化镉的扩散相关.

关键词： CdS/CdTe solar cell deep level impurities deep level transient spectroscopy (DLTS)

作者: 江海波 黎兵 肖心举 冯良桓 郑家贵 张静全 李卫 武莉莉 曾广根

作者单位: 四川大学材料科学与工程学院,成都 610064

会议类型: 国内会议

会议名称: 第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 1-5

在线出版日期: 2012-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）