射频磁控溅射制备转化效率高达12.78％的CdTe薄膜太阳能电池
本文通过磁控溅射技术制备了CdS 窗口层多晶薄膜和CdTe 吸收层多晶薄膜,研究了不同试验参数对CdTe 多晶薄膜的影响.利用国产的原材料和靶材的压制技术,使用国产的磁控溅射设备,目前已经得到了10 cm×10 cm、厚度均匀的CdS 和CdTe 多晶薄膜.我们研究了不同CdCl2处理和溅射沉积时不同的基片偏压对CdTe 多晶薄膜形态、晶粒尺寸、结晶质量的影响,及其对CdTe 薄膜电池开路电压、填充因子、短路电流密度、转化效率的影响.研究结果表明低温磁控溅射技术具有较宽的工艺窗口.所制备的CdTe 太阳能电池的平均效率达到了11％以上,最佳电池开路电压达到了~790 mV,效率达到12.78％.
CdTe 薄膜太阳能电池 磁控溅射 CdCl2处理 基片偏压
李辉 刘向鑫
中国科学院电工研究所,中国科学院太阳能热利用及光伏系统重点实验室,北京 100190
国内会议
北京
中文
1-10
2012-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）