化学水浴法制备CIGS 薄膜太阳电池Zn(S,O,OH)材料的研究
为进一步提高铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳电池效率,Zn(S,O,OH)等宽带隙缓冲材料近年来越来越得到重视和发展.本文采用化学水浴方法(CBD)制备Zn(S,O,OH)薄膜,较为深入地研究了硫脲浓度等参数对Zn(S,O,OH)薄膜特性的影响,并分析Zn(S,O,OH)薄膜的生长机理.通过SEM 等数据发现,随着硫脲浓度的变化,薄膜表面颗粒呈明显变化,在适中硫脲浓度下薄膜晶粒较均匀、致密,薄膜厚度20 nm～50 nm,光学性能较好,能够满足CIGS 薄膜电池的电学和光学要求.
CIGS薄膜太阳电池 化学水浴法(CBD) Zn(S,O,OH)
张德涛 曹章轶 徐传明 吴敏
上海空间电源研究所 ,上海 200245
国内会议
北京
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2012-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）