双层梯度掺杂发射极HIT 太阳电池的模拟研究
本文采用HMI 开发的AFORS-HET 软件模拟研究了AM1.5 条件下双层发射极(a-Si(heavy doped)/a-Si(light doped)/i-a-Si:H/c-Si,D-emitter)结构对于HIT 太阳电池性能的改善.结果表明：D-emitter 结构的HIT 太阳电池的开路电压,短路电流及填充因子相比于单层发射极结构(a-Si(doped)/i-a-Si:H/c-Si, S-emitter)的HIT 太阳电池均有所提升,可获得更高的转换效率.对于n 型c-Si 片太阳电池,S-emitter结构(a-Si(p)/i-a-Si:H/c-Si(n)) 最优转换效率为25.19％ , D-emitter 结构(a-Si(p+)/a-Si(p-)/i-a-Si:H/c-Si(n))最优转换效率为25.98％.对于p 型c-Si 片太阳电池,S-emitter 结构(a-Si(n)/i-a-Si:H/c-Si(p))的最优转换效率为22.02％,D-emitter 结构(a-Si(n+)/a-Si(n-)/i-a-Si:H/c-Si(p))的最优转换效率为24.29％.
数值模拟 双层发射极 HIT电池 梯度掺杂
高江 周浪 黄海宾 崔冶青
南昌大学太阳能光伏学院
国内会议
北京
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1-5
2012-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）