基于气体渗C的微弧氧化法制备C掺杂TiO2光催化薄膜
本文介绍了一种基于气体渗C的微弧氧化法(MAO)制备高含量取代型C掺杂TiO2光催化薄膜的 方法,即首先利用气体渗C技术在Ti基体表面先形成一层TiCx膜,再对渗C处理后的Ti基体进行MAO处 理。利用微弧氧化过程极快速的氧化过程将Ti氧化成TiO2,同时又最大限度地保留Ti-C结构,从而 制备出高含量、取代型的C掺杂TiO2薄膜。相对于传统的热处理方法,此方法将C含量提高到6.07 at.%。与未掺C的TiO2薄膜相比,掺C的TiO2薄膜的紫外-可见吸收光谱产生红移,其禁带宽度降低到 2.77 eV,同时光催化性能也得到显著提高。
Micro-arc oxidation Carburizing C-doped TiO2 Photocatalytic film
荣永森 王彦成 江旭东 潘春旭
武汉大学物理科学与技术学院,中国武汉 430072
国内会议
兰州
中文
219-226
2012-07-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)