β辐射宽带隙半导体材料的电离特性研究

摘要：

基于蒙特卡罗方法软件MCNP模拟了GaN、SiC等几种典型宽带隙半导体材料在90 srβ放射源辐照下的辐射电离特性，包括辐射电离能量沉积，自由电子空间分布及自由电子谱分布等。研究表明半导体材料中的自由电子数密度随穿透深度成指数衰减，且电子射程与材料密度成反比；材料表面自由电子数密度一般在10-40k／cm。左右，并随迁移距离的增加而迅速衰减；低能电子更容易发生电离作用。GaN材料所产生的表面自由电子数密度大，能量转换效率高，适合应用于辐射同位素电池。论文研究结果对于高能量转换效率的辐射同位素电池几何模型设计提供了有益的参考。

关键词： MCNP wide band gap semiconductor materials radiation ionizing electron number density

作者: 左国平 周剑良 柯国土 颜拥军 欧频 郭鹏伟

作者单位: 南华大学核科学技术学院，湖南 衡阳 421001 中国原子能科学研究院，北京 102413 南华大学核科学技术学院，湖南 衡阳 421001 中国原子能科学研究院，北京 102413

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国核学会2011年年会

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 127-133

在线出版日期: 2011-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）