氖离子注入6H-SiC的高分辨XRD和纳米压痕研究

摘要：

在室温下用能量为2.3 MeV的Ne离子注入6H-SiC单晶样品(注量分别为2×1014，1.1×1015，3.75×1015ions／cm2)，注入后分别在300、773、973和1273 K的高温下真空等时退火。随后分别采用高分辨xRD和纳米压痕仪研究样品中的应变和纳米硬度变化。xRD结果表明，在主布拉格峰(H)Bragg低角端产生了衍射峰，说明注入样品中产生了正向应变(positive strain)。样品中应变量随注量的增加逐渐增大；退火后样品中应变发生显著的恢复。样品中应变变化可用缺陷迁移与湮灭和演化得到解释。纳米压痕实验表明，注入样品的纳米硬度变化依赖于注量与退火温度，且在低注量样品中，退火温度对硬度的影响更显著。

关键词： 6H-SiC Ion implantation Strain Hardness XRD Nano-indentation

作者: 徐超亮 张崇宏 杨义涛 张丽卿 李健健 刘向兵 黄平 王荣山

作者单位: 中国科学院近代物理研究所，甘肃 兰州 730000 苏州热工研究院有限公司，江苏 苏州 215004 中国科学院近代物理研究所，甘肃 兰州 730000 苏州热工研究院有限公司，江苏 苏州 215004

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国核学会2011年年会

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 238-244

在线出版日期: 2011-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）