X射线次级粒子对硅器件能量沉积的影响

摘要：

采用外部加装屏蔽壳的方法对X射线进行辐射屏蔽，可以减少X射线对器件的辐射损伤。通过研究发现，虽然 屏蔽材料减少了直照X射线的影响，但是X射线康普顿散射、光电效应产生的次级X射线和次级电子对器件的作用 不可忽略。本文通过改变入射光源光子能量、Si探测器位置、屏蔽材料厚度及照射面大小等参量，采用蒙特卡罗程序 模拟进行了计算比较，得到了X射线次级粒子对硅器件能量沉积的影响规律，并提出了降低次级粒子影响的方法。

关键词： X-ray radiation shield compton scattering photoelectric effect secondary particles monte carlo

作者: 罗剑辉 马戈 周海生 黑东炜

作者单位: 西北核技术研究所，陕西西安 710024

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国核学会2011年年会

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 126-129

在线出版日期: 2011-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）