会议专题

X波段无箔渡越器件的研究

设计了一种同轴结构的无箔渡越器件,具有注入功率高且可望运行在长脉冲和重频状态。粒子模拟表明,在输 入电压为365 kV、电流为26 kA、导引磁场2.0 T的条件下,器件产生了主频为10.72 GHz的X波段微波,功率大约 1.5 GW,效率为1 5.8%。

High power microwave Low-impedance Transit- radiation

曹亦兵 贺军涛 张建德 令钧溥

国防科学技术大学光电科学与工程学院,湖南长沙 410073

国内会议

中国核学会2011年年会

贵阳

中文

173-177

2011-10-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)